2019年新年伊始，博電能源互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新園迎來重量級嘉賓——第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山等領(lǐng)導(dǎo)。博電董事長陳衛(wèi)率研發(fā)骨干熱情迎接。

在會(huì)議中心，陳總向于秘書長等領(lǐng)導(dǎo)介紹了博電在電力檢測、監(jiān)測、仿真技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢，重點(diǎn)講述了博電在IGBT測試技術(shù)領(lǐng)域的成果突破。陳總談到，博電打破國外壟斷和制約，成為自主研發(fā)IGBT檢測設(shè)備的廠商，產(chǎn)品可滿足市場上全部型號IGBT的測試需求，測試內(nèi)容涵蓋動(dòng)態(tài)測試、靜態(tài)測試、功率循環(huán)測試、單芯片測試及篩選等方面。

于秘書長等領(lǐng)導(dǎo)對博電在大功率IGBT測試技術(shù)領(lǐng)取得的成果突破表示欣慰和肯定。于秘書長向陳總介紹了第三代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展情況及市場前景。聯(lián)盟領(lǐng)導(dǎo)表示，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟致力于推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體材料及器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，希望有更多像博電這樣敢于擔(dān)當(dāng)、樂于奉獻(xiàn)，有原始技術(shù)積累、有前瞻性技術(shù)突破的企業(yè)為IGBT技術(shù)發(fā)展貢獻(xiàn)智慧和力量。

▲雙方在會(huì)議室開展深度交流

最后，在陳總陪同下，于秘書長等領(lǐng)導(dǎo)參觀了博電展廳及 “小微企業(yè)智能電力檢測技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)”——博普檢測中心，重點(diǎn)參觀了博電IGBT靜態(tài)測試平臺(tái)、動(dòng)態(tài)測試平臺(tái)、功率循環(huán)測試平臺(tái)，以及博電在電動(dòng)汽車及充電設(shè)施檢測技術(shù)領(lǐng)域的新產(chǎn)品。

▲參觀博電IGBT靜態(tài)測試平臺(tái)

▲參觀博電IGBT動(dòng)態(tài)測試平臺(tái)

▲陳總介紹手持式電動(dòng)汽車直流充電檢測儀

▲參觀基于NI PXI & 博電功率模塊的電動(dòng)汽車測試系統(tǒng)

▲參觀博電大功率發(fā)生裝置

▲參觀“小微企業(yè)智能電力檢測技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)”——博普檢測中心

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

2015年9月9日，在國家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導(dǎo)體相關(guān)的科研機(jī)構(gòu)、大專院校、企業(yè)自愿發(fā)起籌建的“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”在北京國際會(huì)議中心宣告成立。

第三代半導(dǎo)體材料是近年來迅速發(fā)展起來的以GaN、SiC為代表的新型半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強(qiáng)的等優(yōu)點(diǎn)，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)新材料，正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

第三代半導(dǎo)體材料及器件的突破將引發(fā)科技變革并重塑國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。美、日、歐、韓等發(fā)達(dá)國家高度重視并已部署國家相關(guān)計(jì)劃搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。我國政府也十分重視第三代半導(dǎo)體材料與及器件的研發(fā)與及產(chǎn)業(yè)化，在科技部等部委的持續(xù)部署支持下，我國材料研發(fā)的整體水平與國際上差距不大，半導(dǎo)體照明作為在第三代半導(dǎo)體的材料首個(gè)第一個(gè)產(chǎn)業(yè)化的應(yīng)用方向方面——半導(dǎo)體照明已經(jīng)在關(guān)鍵技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破，創(chuàng)新應(yīng)用處于國際領(lǐng)先水平；此外，在第三代半導(dǎo)體電子器件應(yīng)用方面，在移動(dòng)通訊、光伏逆變、雷達(dá)等領(lǐng)域已有少量示范應(yīng)用。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的成立，對推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體材料及器件研發(fā)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。聯(lián)盟將發(fā)起的目的主要是圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建創(chuàng)新鏈，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作以及跨界應(yīng)用的開放協(xié)同創(chuàng)新，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設(shè)，培育形成一批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、知名品牌和市場競爭力強(qiáng)的骨干企業(yè)群，形成全國一盤棋的發(fā)展合力，抓住換道超車的歷史性機(jī)遇，形成全國一盤棋的發(fā)展合力，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展，搶占在國際第三代半導(dǎo)體上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)，重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。