在功率半導(dǎo)體器件向小型化、集成化、大功率、低功耗方向發(fā)展的同時(shí),半導(dǎo)體器件的特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)也提出了越來越高的要求,需要測(cè)試設(shè)備在大功率、低噪聲、高精度和高速采集等方面提升性能,使之具備更高的電壓、電流、精度、靈敏度等測(cè)試能力,能夠支持測(cè)量各種功率范圍的半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)器件檢測(cè)相比,第三代半導(dǎo)體材料器件需要精度更高、靈敏度更高的測(cè)試產(chǎn)品。博電科技20多年深耕電氣檢測(cè)產(chǎn)品研發(fā),持續(xù)研發(fā)并掌握相關(guān)核心技術(shù),持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)試驗(yàn)檢測(cè)技術(shù)和設(shè)備研發(fā)制造。
博電科技打破國外技術(shù)壟斷,成為國內(nèi)唯一一家自主研發(fā)功率半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的廠商,測(cè)試對(duì)象包括IGBT單芯片與IGBT模塊測(cè)試,測(cè)試內(nèi)容涵蓋靜態(tài)特性檢測(cè)、動(dòng)態(tài)特性檢測(cè)、功率循環(huán)檢測(cè)、高壓局放檢測(cè)、功率分析檢測(cè)等方面,測(cè)試最高電壓5kV、測(cè)試電流最大5000A,可滿足市場(chǎng)上全部型號(hào)IGBT的測(cè)試,可廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用的各個(gè)環(huán)節(jié),助推中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。