隨著IGBT在電力電子、新能源、工業(yè)控制、消費電子、網(wǎng)絡通信、計算機、汽車電子等領(lǐng)域中的廣泛應用，IGBT的需求越來越大，因此IGBT器件可靠性問題就越發(fā)重要。由于IGBT器件的設計壽命一般在20年以上，所以需借助功率循環(huán)加速老化試驗來加速IGBT的老化進程，以期在較短時間內(nèi)明確IGBT失效機理，并發(fā)現(xiàn)能反映IGBT老化衰退狀態(tài)的失效預兆特征量和建立壽命評估模型，以便用于后續(xù)狀態(tài)監(jiān)測、故障診斷和壽命預測等IGBT可靠性方面的研究。因此我公司研制了IGBT功率循環(huán)測試臺，該平臺可以開展IGBT功率循環(huán)測試項目。系統(tǒng)采用熱敏電流法測量計算大電流加熱后IGBT的結(jié)溫，采用水冷方式對IGBT進行冷卻。在每次循環(huán)中，需要測量IGBT的熱敏電流，發(fā)射級和集電極之間電壓VCE，殼溫等參數(shù)。