博電科技應邀參會

5月14日，初夏時節(jié)，“首屆碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈與應用技術(shù)研討會暨產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)產(chǎn)品對接會”在北京隆重舉行。博電科技技術(shù)委員會杜科博士、功率研發(fā)部經(jīng)理任志軍等技術(shù)人員應邀出席此次研討會。  

本屆研討會由中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、北京電力電子學會、上海SiC功率器件工程與技術(shù)研究中心、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室聯(lián)合主辦。一百二十余位碳化硅（SiC）半導體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)產(chǎn)學研單位的專家和企業(yè)家齊聚一堂，推進碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈的進步與產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

▲會議現(xiàn)場

▲大連理工學院王德君教授發(fā)表以《SiCMOS柵氧界面缺陷與器件性能穩(wěn)定性》為題的主題演講

與會專家蒞臨參觀

會議當天下午，大連理工學院王德君教授蒞臨博電科技，實地參觀了博電科技面向功率半導體領(lǐng)域的測試設備。

▲合影留念

功率研發(fā)部經(jīng)理任志軍向王教授詳細介紹了博電科技自主創(chuàng)新的功率半導體檢測平臺。王教授對博電自主創(chuàng)新、引領(lǐng)行業(yè)的優(yōu)秀產(chǎn)品給以極大的贊賞。

▲功率研發(fā)部經(jīng)理任志軍向王教授介紹IGBT靜態(tài)參數(shù)測試平臺

功率半導體測試解決方案

博電科技長期跟蹤國內(nèi)外前沿技術(shù)，以自身成熟的智能電力電子檢測設備為基礎，根據(jù)自身在測試儀器領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，為用戶提供專業(yè)的功率半導體測試系統(tǒng)解決方案。

在功率半導體測試領(lǐng)域，博電科技推出以高速高頻、高壓、大電流功率源為基礎、并結(jié)合高速高精度的高壓、大電流模擬采集技術(shù)及高速數(shù)字處理控制系統(tǒng)的智能測試平臺。該平臺根據(jù)不同需求可完成各類功率半導體器件、模塊、芯片的動態(tài)參數(shù)、靜態(tài)參數(shù)，熱力參數(shù)及力學參數(shù)，功率壽命參數(shù)測試；是國內(nèi)相關(guān)研制生產(chǎn)單位的研發(fā)測試、工程驗收、出廠測試等領(lǐng)域進行自動測試的檢測平臺。